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SI4922BDY-T1-E3中文资料

SI4922BDY-T1-E3图片

SI4922BDY-T1-E3外观图

  • 大小:97.6KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, DUAL, N, SOIC; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:8A; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Base Number:4922; N-channel Gate Charge:19nC; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:24mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:18mohm; On State resista...
  • 数据列表:SI4922BDY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:62nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2070pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4922BDY-T1-E3TR

SI4922BDY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-29 12:29:24
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